![IRF540 TMOS n 28 A 100V 0.077r [to220]](https://www.electronica.uy/wp-content/uploads/2024/04/540-1.jpg)
El IRF540 es un MOSFET de potencia HEXFET de canal único N de 100V en encapsulado TO-220. Este MOSFET tiene una resistencia extremadamente baja por área de silicio, clasificación dv/dt dinámica, conmutación rápida y resistente y, como resultado, una calificación de avalancha total, los MOSFET de potencia son muy conocidos por proporcionar una gran eficiencia y fiabilidad que se pueden utilizar en una gran variedad de aplicaciones.
- Polaridad del transistor: Canal N
- Voltaje de drenaje a fuente VDS: 100 V
- Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
- Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 28 A
- Corriente de drenaje pulsada IDP: 110 A
- Corriente de avalancha IAR: 16 A
- Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 130 W
- Resistencia VGS RDS(on) máximo: 77 mΩ
- Temperatura de operación mínima: -55 °C
- Temperatura de operación máxima: 175 °C
- Encapsulado: TO-220
Aplicación:
