El transistor IRFP064 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

Características

• Polaridad del transistor: Canal N
• Voltaje de drenaje- fuente Vds: 55 V
• Intensidad drenador continua Id: 110 A
• Tensión Vgs de medición Rds (on): 20 V
• Disipación de potencia Pd: 200 W
• Resistencia de activación Rds (on) máxima: 0.008 ohms
• Temperatura mínima de operación: -55°C
• Temperatura máxima de operación: 175°C
• Encapsulado: TO-247AC