- Polaridad del transistor: Canal N
- Voltaje de drenaje a fuente VDS: 200 V
- Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
- Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 50 A
- Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 300 W
- Resistencia de activación RDS(on) máxima: 0.04 Ohms
- Temperatura de operación mínima: -55 °C
- Temperatura de operación máxima: 175 °C
- Encapsulado: TO-247AC

![IRFP260 TMOS n 46 A 200v 0.055r 280W [to247]](https://www.electronica.uy/wp-content/uploads/2024/04/IRFP260-1.jpg)



