- Polaridad del transistor: Canal N
- Voltaje de drenaje- fuente Vds: 400 V
- Intensidad drenador continua Id: 10 A
- Tensión Vgs de medición Rds (on): 10 V
- Disipación de potencia Pd:125 W
- Resistencia de activación Rds (on) máxima: 0.55 ohms
- Temperatura mínima de operación: -55°C
- Temperatura máxima de operación: 175°C
- Encapsulado: TO-220

![IRF740 TMOS n 10 A 400V 0.55r [to220]](https://www.electronica.uy/wp-content/uploads/2024/04/IRF740-1.jpg)



