- Polaridad del transistor: Canal N
- Voltaje de drenaje a fuente VDS: 500 V
- Voltaje de puerta a fuente VGS: ±10 V
- Corriente continua de drenaje ID: 14 A
- Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 190 W
- Resistencia de disparo RDS(on) typ: 0..40 Ω
- Temperatura de operación mínima: -55 °C
- Temperatura de operación máxima: 150 °C
- Encapsulado TO-247
IRFP450 TMOS n 14 A 500v 0.4r 190w [to247AC]
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IRFP450 TMOS n 14 A 500v 0.4r 190w [to247AC]
mosfet alto voltaje
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