El IRF530 es un transistor MOSFET de potencia por sus siglas en inglés “Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor”, tiene un canal tipo N, 3 pines y un encapsulado TO-220, con capacidad de manejar energía de 100V y 14A. Es utilizado para el control o amplificación de potencia, como interruptor electrónico en circuitos de conmutación de potencia, como controlador de velocidad de motores DC y motores a pasos, como regulador de tensión y más.

• Modelo: mosfet IRF530
• Polaridad del transistor: Canal N
• Voltaje de drenaje- fuente Vds: 100 V
• Intensidad drenador continua Id: 14 A
• Tensión Vgs de medición Rds (on): 2.9 V
• Disipación de potencia Pd 78 W
• Resistencia de activación Rds (on) máxima: 0.16 ohms
• Temperatura mínima de operación: -55°C
• Temperatura máxima de operación: 175°C
• Encapsulado: TO-220
• Hoja técnica