Los Mosfet son la mejor combinación de cambio rápido, resistente, bajo en resistencias, y rentabilidad. La baja resistencia térmica y el bajo costo contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria

El IRLZ44N es un transistor mosfet  de potencia, de canal N, fabricado para usar en sus diseños electrónicos de bajo voltaje, como en circuitos de 5 V y es capaz de manejar cargas de alto amperaje. Se controla directamente a través de circuitos de bajo voltaje como Arduino, Raspberry Pi u otras plataformas electrónicas, incluso directamente con circuitos integrados y microcontroladores.

• Polaridad de transistor: Canal N
• Voltaje de drenaje a fuente VDS: 55 V
• Voltaje de puerta a fuente VGS: ±10 V
• Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 55 V
• Resistencia VGS RDS(on) máximo: 22 mΩ
• Corriente continua de drenaje ID: 47 A
• Corriente de drenaje pulsada IDP: 160 A
• Disipación de potencia máxima PD : 110 W
• Temperatura de operación mínima: -55 °C
• Temperatura de operación máxima: 175 °C
• Encapsulado: TO-220
• Ficha técnica

Estos MOSFET de potencia están diseñados para aplicaciones como reguladores de conmutación, conmutación convertidores, controladores de motor, controladores de relé y controladores para alta transistores de conmutación bipolar de potencia que requieren alta velocidad y baja potencia de accionamiento de la puerta. Se pueden operar directamente desde circuitos integrados.